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中國半導體國家隊紫光集團與武漢新芯在日前合并，組成長江存儲全力發(fā)展存儲，其傾國家之力建設的國家存儲基地也于 2016 年底動工，中國存儲之路到底走到什么境地？從前武漢新芯CEO、現(xiàn)任長江存儲CEO楊士寧參與技術論壇的言論，或能透露更多端倪。
中國半導體產業(yè)交流平臺 IC 咖啡 14 日在中國上海舉辦了“匠心獨運、卓越創(chuàng)芯”技術峰會，前武漢新芯CEO、現(xiàn)任長江存儲CEO楊士寧以“發(fā)展存儲產業(yè)的戰(zhàn)略思考”為題進行演講，會中也透露了長江存儲的存儲發(fā)展策略，與目前技術進展。
武漢新芯原為中國選定的存儲發(fā)展主力廠商，當時武漢新芯以 NAND Flash 做切入，展開一連串布局，包含在 2015 年與現(xiàn)已并入賽普拉斯（Cypress）的飛索半導體（Spansion）技術合作，在武漢新芯與紫光合并組成長江存儲后，仍維持當時的發(fā)展策略，以 3D NAND Flash 做為策略發(fā)展重點。
對此，楊士寧指出，選擇 3D NAND 為突破口是企業(yè)需求、外部機遇與市場動力的吻合。是技術問題，更是經濟問題。他進一步解釋道，DRAM 與 2D NAND 都面臨競爭對手折舊后設備的大量產能，而 3D NAND Flash 增量巨大，且為目前眾存儲廠商爭相競逐發(fā)展的新領域，擁有較佳的發(fā)展機會。
楊士寧透露，長江存儲 32 層 3D NAND Flash 發(fā)展順利，產品指標也良好，預計將在 2019 年實現(xiàn)產能滿載。甚至豪言，要在 2019 年與內存前幾大業(yè)者技術差距拉近至半代，并于 2020 年追上世界領先技術。
先前有傳聞，長江存儲預計在 2017 年發(fā)展出 32 層堆疊 3D NAND Flash 產品，對此長江存儲今 16 日特定發(fā)布消息強調，公司從未發(fā)布過 32 層 3D NAND 在今年量產的信息。
